주식회사 웨이비스(WAVICE)와 비투지(BTOZ)가 차세대 RF 소자 및 전력 반도체 소자로 각광받고 있는 GaN 반도체 관련 기술 개발 및 사업화에 협력하기로 지난 11일 합의했다.

GaN(질화갈륨) 반도체 소자는 RF(Radio Frequency) 소자 및 전력 반도체 분야에서 기존 실리콘(Si) 반도체 소자를 대체하는 차세대 반도체다. 낮은 온(ON)-저항을 갖고 기존 실리콘 반도체에 비해 수백배 빠른 스위칭 성능으로 높은 전력 변환 효율 및 빠른 주파수 특성 구현이 가능하다. 제품을 소형화할 수 있는 장점 또한 갖는다. 

그간 국내에서는 웨이비스를 중심으로 GaN 반도체 소자 관련 기술 개발 및 상용화가 진행됐으나 소재 분야인 에피 웨이퍼(Epitaxial wafer) 부분은 해외 수입에 전량 의존해 왔었다. 비투지는 한국전자통신연구원(ETRI)와의 오랜 기술 협력을 통해서 RF 소자 및 전력 반도체에 적용 가능한 에피 소재를 개발했고, 이번 업무 협약을 통해서 웨이비스의 소자 설계 및 제작 기술과 결합해 국내에서 GaN 에피 소재에서 소자에 이르는 전 가치 사슬(value chain)을 구성할 수 있게 됐다. 

웨이비스는 RF 및 전력용 GaN 반도체 소자를 생산할 수 있는 파운드리(반도체 위탁 생산)를 보유한 유일한 국내 기업으로서, 이번 협약을 통해 소재의 국산화와 그동안은 GaN 소재의 안정된 수급의 어려움과 높은 단가 문제를 해결하게 돼 향후 시장을 더욱 확장할 수 있게 됐다. 

현재 비투지는 GaN 반도체 기판을 성장하고 에피 공정을 하는 생산 시설을 조성하기 위해, 부산광역시 기장군 전력반도체 클러스터에 4500평가량의 부지를 확보하고 있으며, 2023년 생산시설 완공을 목표로 생산 라인 기획과 설계를 진행하고 있다. 이번 업무 협력을 통해서 웨이비스와 비투지는 생산 효율성 증대를 위한 기장 생산 시설 공동 활용에 대한 협의도 진행할 예정이다. 

신정훈 비투지 대표는 "이번 양사의 협력은 단순 공급자와 수요자 간의 계약이 아닌 향후 급변할 것으로 예상되는 GaN 반도체 시장에서 각자의 장점을 극대화해 집중적인 투자를 진행함으로써 글로벌 강자로 거듭 태어날 수 있는 협약이 될 것"이라고 밝혔다.